RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1393
3509
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link