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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
9.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
1989
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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