RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
55
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
11.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2457
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link