RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
3124
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link