SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Unterschiede

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    14 left arrow 42
    Rund um -200% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    26.4 left arrow 13.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    19.8 left arrow 8.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 14
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 26.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 19.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2152 left arrow 4362
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche