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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
66
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
2,978.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
9.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
2501
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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