RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
10
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
66
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
2,978.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
2306
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link