RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
59
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2841
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Elpida EBJ10UE8BDS0-AE-F 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link