RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
46
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3035
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link