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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
86
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
5.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1220
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
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