RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
87
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2974
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link