RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
25.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
53
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.5
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
25.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
19.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
4167
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link