RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
53
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3147
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link