RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
53
Rund um -179% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
15.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3435
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link