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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
40
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1654
3158
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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