RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
68
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
68
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
1812
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link