RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3437
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link