RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Compara
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
19.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
66
En -187% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
23
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
3964
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link