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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Puntuación global
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
66
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,557.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,775.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,557.9
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
382
2763
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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