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AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
67
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
36
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
2090
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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