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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Puntuación global
AMD AE34G1601U1 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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Razones a tener en cuenta
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
67
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
3.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
67
37
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
3.6
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
998
2179
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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