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AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Compara
AMD R5316G1609U2K 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
73
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.5
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
48
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2453
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
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