RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Compara
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2272
2017
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link