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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Compara
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Puntuación global
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.1
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
52
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.5
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2113
2306
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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