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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Compara
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Puntuación global
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
41
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2385
2585
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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