RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Compara
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
39
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2355
2768
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link