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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
75
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
75
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
1717
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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