RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Compara
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
1617
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link