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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
38
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
22.2
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
21.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
22.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2099
4574
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
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