RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
29
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
29
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
3409
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link