Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Puntuación global
star star star star star
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 37
    En -23% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16 left arrow 11.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.3 left arrow 7.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    23400 left arrow 10600
    En 2.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.4 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.4 left arrow 12.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1683 left arrow 2709
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones