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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Compara
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
51
En -155% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,839.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
20
Velocidad de lectura, GB/s
4,246.9
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,839.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
721
3410
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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