RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
42
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
1897
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link