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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Compara
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
31
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2096
2817
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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