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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2187
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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