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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
62
En -44% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
43
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
2615
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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