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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
27
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
18
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3536
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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