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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
41
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2416
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
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Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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