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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3564
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
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