RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
31
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
3332
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link