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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
77
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
77
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
1517
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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