RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
2690
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link