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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
23
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
23
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.2
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3130
4095
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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