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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Compara
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
35
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
13.5
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3679
2068
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
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