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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3217
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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