RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
62
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2486
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link