RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
62
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2651
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link