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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.8 left arrow 9.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.9 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 35
    En -30% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.8 left arrow 9.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.9 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2126 left arrow 1767

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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