RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2483
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link