RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2545
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link